傳三星將提高GalaxyS24系列內(nèi)存配置，“Ultra”機(jī)型會(huì)獲得最高16GB內(nèi)存

三星在今年2月1日舉行的Galaxy Unpack 2023活動(dòng)上，發(fā)布新一代Galaxy S23系列旗艦智能手機(jī)。與往常不同的是，Galaxy S23、Galaxy S23+、以及Galaxy S23 Ultra三款新機(jī)型均搭載了高通定制版的Snapdragon 8 Gen2平臺(tái)，并沒(méi)有提供采用Exynos芯片的版本，而且內(nèi)存配置上也較為保守。近日，有網(wǎng)友透露了明年Galaxy S24系列的內(nèi)存配置，聲稱消息來(lái)源是可靠的。其中Galaxy S24和Galaxy S24+將配備12GB內(nèi)存，而Galaxy S24 Ultra將達(dá)到16GB內(nèi)存。相比于Galaxy S23和Galaxy S23+的8GB，以及Galaxy S23 Ultra最高的12GB，這顯然是一個(gè)巨大的進(jìn)步。Galaxy S23系列作為旗艦智能手機(jī)，其配備的內(nèi)存容量相比市面上不少機(jī)型偏少，缺乏更大容量的選項(xiàng)，這也是部分用戶詬病的地方。Galaxy S24系列增加內(nèi)存配置是合理的，不過(guò)不排除三星仍然在Galaxy S24和Galaxy S24+的較低存儲(chǔ)組合里提供8GB內(nèi)存的配置，最終讓該系列存在8GB、12GB和16GB三種內(nèi)存容量。有人認(rèn)為，Galaxy S24系列使用更多內(nèi)存芯片會(huì)消耗更多的電力，雖然這有一定的道理，不過(guò)還取決于采用的是哪種內(nèi)存。近期三星宣布了更高頻率的LPDDR5X芯片，提供了更大的帶寬，并且比標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR5耗電量減少了20%。如果在高通定制版的Snapdragon 8 Gen3平臺(tái)上搭配這種高速LPDDR5X內(nèi)存，應(yīng)該會(huì)是一個(gè)高效的選擇。